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集積回路のための半導体デバイス工学

小林 清輝／著

コロナ社 2018.4

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所蔵館 所蔵場所 請求記号 資料コード 資料区分 持禁区分 状態
オーテピア高知図書館 3Fビジネス /549.7/ｺﾊ/ 1108975564 一般   利用可 iLisvirtual

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タイトル 集積回路のための半導体デバイス工学
著者 小林 清輝 ／著  
著者典拠番号 110007331450000
出版者 コロナ社
出版地 東京
出版年 2018.4
ページ数 8,186p
大きさ 21cm
言語 日本語
一般件名 集積回路 , シリコン(半導体)
一般件名典拠番号 510919900000000 , 510167300000000
NDC分類(9版) 549.7
内容紹介 「シリコンを使ったMOS集積回路」について初めて学ぶ人のための教科書。電気電子・情報通信分野の大学生等を対象に、固体電子論の基礎から、MOSFETの動作原理、LSI製造プロセス、LSIの構成と動作までを解説。
ISBN 4-339-00909-5
ISBN13桁 978-4-339-00909-5
本体価格 ¥2500
資料情報1 『集積回路のための半導体デバイス工学』　小林 清輝／著 　コロナ社　2018.4（所蔵館：オーテピア高知図書館　 請求記号：/549.7/ｺﾊ/　 資料コード：1108975564）
URL
https://opac.library.kochi.jp/winj/opac/switch-detail.do?lang=ja&bibid=1120273876

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目次

1章 集積回路の微細化が進められた理由
  1.1 なぜ集積回路を微細化するのか
  1.2 集積回路の微細化と性能の推移
  1.3 近年のLSI
  1.4 集積回路の種類と用途
  演習問題
  引用・参考文献
2章 固体電子論の基礎
  2.1 自由電子の波動関数
  2.2 シリコンの結晶構造
  2.3 逆格子
  2.4 結晶の中の電子の波動関数
  2.5 エネルギーバンド
  2.6 金属,絶縁体,半導体のエネルギーバンド
  演習問題
  引用・参考文献
3章 半導体中のキャリヤ
  3.1 真性半導体
  3.2 真性半導体の伝導電子密度と正孔密度
  3.3 真性フェルミ準位
  3.4 有効質量
  3.5 正孔
  3.6 不純物半導体
  3.7 キャリヤ密度とフェルミ準位
  3.8 キャリヤのドリフトと移動度
  3.9 キャリヤの拡散
4章 MOSFETの動作原理
  4.1 MOS構造
  4.2 空乏近似
  4.3 ポアソン方程式の厳密な解
  4.4 フラットバンド電圧
  4.5 MOSFETの動作
  4.6 線形領域と飽和領域のドレイン電流
  4.7 MOSFETの種類
  4.8 CMOSインバータ
  4.9 比例縮小則
5章 LSI製造プロセス
  5.1 LSIができるまでの流れ
  5.2 製造プロセスのフロー
  5.3 要素プロセス技術
  5.4 LSIのプロセスフロー(CMOSインバータ)
  5.5 MOSFET高性能化技術の進展
  5.6 銅配線
  5.7 シリコン結晶
  演習問題
  引用・参考文献
6章 LSIの構成と動作
  6.1 DRAMの動作
  6.2 SRAMの動作
  6.3 NOR型フラッシュメモリの構造と動作
  6.4 NAND型フラッシュメモリの構造と動作
  演習問題
  引用・参考文献

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