Yuan Taur/[著] Tak H.Ning/[著]

丸善出版 2024.10

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所蔵館 所蔵場所 請求記号 資料コード 資料区分 持禁区分 状態
オーテピア高知図書館 3Fビジネス /549.7/タウ/ 1112528896 一般   利用可

館別所蔵

館名 所蔵数 貸出中数 貸出可能数
オーテピア高知図書館 1 0 1

資料詳細

タイトル タウア・ニン最新VLSIの基礎
著者 Yuan Taur /[著], Tak H.Ning /[著], 宮本 恭幸 /監訳, 内田 建 /監訳, 竹内 潔 /訳, 寺内 衛 /訳  
出版者 丸善出版
出版年 2024.10
ページ数 26,609p
大きさ 21cm
一般件名 集積回路
NDC分類(9版) 549.7
内容紹介 CMOSやバイポーラトランジスタの動作を支配するデバイスの基礎を、ディープサブミクロンVLSIデバイスに重要なデバイスパラメータや性能因子に重点をおいて解説。新しい技術に対応するなどした第3版。
ISBN 4-621-31026-7

内容一覧

タイトル 著者名 ページ
第1章 序章
第2章 デバイス物理の基礎
第3章 p‐n接合と金属-シリコン接触
第4章 MOSキャパシタ
第5章 長チャネルMOSFETデバイス
第6章 短チャネルMOSFET
第7章 SOI MOSFETおよびダブルゲートMOSFET
第8章 CMOS性能因子
第9章 バイポーラデバイス
第10章 バイポーラデバイス設計
第11章 バイポーラ性能因子
第12章 メモリデバイス