資料詳細

検索条件

  • 一般件名
    書道－中国
ハイライト
  • 1 件中、 1 件目

SiC/GaNパワー半導体の実装と信頼性評価技術

菅沼 克昭/編著

日刊工業新聞社 2014.12

所蔵

所蔵は 1 件です。現在の予約件数は 0 件です。

所蔵館 所蔵場所 請求記号 資料コード 資料区分 持禁区分 状態
オーテピア高知図書館 3Fビジネス /549.8/ｽｶ/ 1107863282 一般   利用可

ページの先頭へ

館別所蔵

館名 所蔵数 貸出中数 貸出可能数
オーテピア高知図書館 1 0 1

ページの先頭へ

資料詳細

タイトル SiC/GaNパワー半導体の実装と信頼性評価技術
著者 菅沼 克昭 /編著  
出版者 日刊工業新聞社
出版年 2014.12
ページ数 247p
大きさ 21cm
一般件名 半導体 , パワーエレクトロニクス , 信頼性(工学)
NDC分類(9版) 549.8
内容紹介 省エネルギー技術の切り札として世界中で大規模プロジェクトが開始されているワイドバンドギャップ・パワー半導体。その実装技術に焦点を当て、重要と考えられる技術領域の専門家が、様々な角度から現状技術を詳細に述べる。
ISBN 4-526-07339-7
ISBN13桁 978-4-526-07339-7

ページの先頭へ